9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的PR1003G-T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PR1003G-T价格参考1.398美元。Diodes Incorporated PR1003G-T封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO41。您可以下载PR1003G-T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如PR1003G-t价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
PR1002-T是DIODE GEN PURP 100V 1A DO41，包括PR1002系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装类型设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为150ns。
PR1003GL-T是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1.3V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-41中使用的供应商设备包，该DO-41提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为150ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
PR1003，带有LITEON制造的电路图。PR1003采用DO-41封装，是IC芯片的一部分。
