9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS3H9HE3/57T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS3H9HE3/57T参考价格为0.472美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS3H9HE3/57T封装/规格：DIODE SCHOTTKY 90V 3A DO214AB。您可以下载SS3H9HE3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS3H9-E3/57T是DIODE SCHOTTKY 90V 3A DO214AB，包括SS3x系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AB，SMC包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备采用DO-214AB（SMC）供应商设备包提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为20μa@90V，电压正向Vf Max If为800mV@3A，电压直流反向Vr Max为90V，电流平均整流Io为3A，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为0.8 V，Ir反向电流为20 uA，If正向电流为3 A，Vrm重复反向电压为90 V，Ifsm正向浪涌电流为100A。
SS3H9-E3/9AT是DIODE SCHOTTKY 90V 3A DO214AB，包括90 V Vrm重复反向电压，它们设计为在800 V@3A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于90V的电压直流反向Vr Max，提供了0.8 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.010582盎司，以及Si技术，该设备也可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，速度为快速恢复=200mA（Io），该设备为SS3x系列，该设备具有肖特基产品整流器，包装为磁带和卷轴（TR），包装箱为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为20 uA，Ifsm正向浪涌电流为100 A，If正向电流为3 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为20μA@90V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
SS3H9-E3，带有VISHAY制造的电路图。SS3H9-E3采用DO-214AB封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
