9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N646-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N646-1参考价格$1.978。Microchip Technology 1N646-1封装/规格：DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35。您可以下载1N646-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N6461是TVS DIODE 5VWM 9VC BPKG AXIAL，包括齐纳型，设计用于散装包装，安装样式如数据表注释所示，用于通孔，提供轴向端接样式功能，长度设计为7.62 mm，宽度3.56 mm，该设备也可用于B型轴向包装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备为通孔安装型，该设备具有通用用途，供应商设备包为轴向，单向通道为1，电压反向间隔类型为5V，电压击穿最小值为5.6V，电压钳位最大值Ipp为9V，电流峰值脉冲10 1000μs为315A（8/20μs），功率峰值脉冲为500W，电源线保护为No，Pd功耗为500W。最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，击穿电压为5.6V，钳位电压为9V，峰值浪涌电流为56A，工作电压为5V，极性为单向。
1N645UR-1，带用户指南，包括1V@400mA电压正向Vf最大值。如果设计为在225V电压直流反向Vr最大值下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-213AA，提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有50nA@225V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为400mA。
1N645-1JAN，带有MICROSEMI制造的电路图。1N645-1JAN采用DO35封装，是IC芯片的一部分。
