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1N6622US是DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF，包括散装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了用于SQ-MELF，A的封装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于A-MELF以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@660V，该器件提供1.4V@1.2A电压正向Vf Max。如果，该器件具有660V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1.2A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为10pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C。
1N6623US是DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF，包括1.55V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在880V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于A-MELF的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为50ns，以及散装包装，该器件也可以用作SQ-MELF封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@880V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@10V，1MHz。
1N6623是DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL，包括10pF@10V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@880V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该装置也可作为A型轴向包装箱使用。此外，封装是散装的，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），电压DC反向Vr Max为880V，电压正向Vf Max If为1.55V@1A。
1N6624是整流器超快整流器（小于100ns），包括通孔安装型。
