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1N6627US是DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF，包括散装包装，它们设计为以SMD/SMT安装方式运行，数据表注释中显示了用于SQ-MELF，A的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计为在A-MELF中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为2μA@440V，该器件提供1.35V@2A电压正向Vf Max If，该器件具有440V的电压反向Vr Max，电流平均整流Io为1.75A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为40pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
1N6628US是DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF，包括1.35V@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在660V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于A-MELF的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在30ns内工作等速度特性，该器件也可以用作SQ-MELF封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为2μA@660V，电流平均整流Io为1.75A，电容Vr F为40pF@10V，1MHz。
1N6628是二极管GEN PURP 600V 1.75A AXIAL，包括1.75A电流平均整流Io，设计用于在600V电流反向泄漏Vr下工作2μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型特征，如通孔，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该装置也可作为A型轴向包装箱使用。此外，包装为散装，设备提供45ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为a-PAK，直流反向电压Vr Max为600V，正向电压Vf Max If为1.35V@2A。
