9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-50WQ10FNPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-50WQ10FNPBF参考价格为0.364美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-50WQ10FNPBF封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK。您可以下载VS-50WQ10FNPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-50WQ06FNTRR-M3，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如D-PAK（to-252AA），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），除了肖特基二极管类型之外，该器件还可以用作3mA@60V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为570mV@5A，该器件提供60V电压DC反向Vr Max，该器件具有5.5A电流平均整流Io，电容Vr F为360pF@5V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
VS-50WQ06FNTRRPBF是DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK，包括570mV@5A电压正向Vf Max。如果它们设计为在60V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D-PAK（to-252AA）的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，以及TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有3mA@60V的反向电流泄漏Vr，平均整流电流Io为5.5A，电容Vr F为360pF@5V，1MHz。
VS-50WQ10FNHM3是二极管肖特基100V 5.5A DPAK，包括183pF@5V，1MHz电容Vr F，设计用于5.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1mA@100V，提供肖特基等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件也可以用作TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒。此外，包装为交替包装，设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，设备具有供应商设备包装的D-PAK（TO-252AA），电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为770mV@5A。
VS-50WQ10FN-M3是二极管肖特基100V 5.5A DPAK，包括TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装盒，它们设计用于表面安装安装型，二极管类型如数据表所示，用于肖特基，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，供应商设备封装设计用于D-PAK（TO-252AA），除了替代封装外，该器件还可以用作770mV@5A正向电压Vf Max If。此外，电流平均整流Io为5.5A，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C，该器件具有1mA@100V反向电流泄漏Vr，电容Vr F为183pF@5V，1MHz，直流反向电压Vr Max为100V。
