9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES2AHE3/5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES2AHE3/5BT参考价格为1.73美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES2AHE3/5BT封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA。您可以下载ES2AHE3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES2A-E3/5BT是DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于ES2A-E3/52T的零件别名，该ES2A-E5/52T提供单位重量功能，如0.006349盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA，SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备以单配置提供，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，电压正向Vf Max If为900mV@2A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为18pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-50°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为900 mV，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为50ns。
ES2AHE3/52T是DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA，包括900mV@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在50V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在30ns内工作等速度特性，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为18pF@4V，1MHz。
ES2AF，电路图由东芝/VISHAY制造。ES2AF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
