9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N6631，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N6631参考价格$2.182。Microchip Technology 1N6631包装/规格：DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL。您可以下载1N6631英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N6629US，带引脚细节，包括散装封装，设计用于SQ-MELF，a封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如a-MELF，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作2μA@880V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.4V@1.4A，该器件提供880V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有1.4A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为40pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
1N6630是DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL，包括1.4V@1.4A电压正向Vf Max。如果它们设计用于990V电压直流反向Vr Max，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供反向恢复时间trr功能，如50ns，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有2μa@990V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1.4A，电容Vr F为40pF@10V，1MHz。
1N6630US是DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B，包括1.4A电流平均整流Io，它们设计为在100V电流反向泄漏Vr下工作4μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及E-MELF封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的D-5B，电压DC反向Vr Max为900V，电压正向Vf Max If为1.7V@3A。
