9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MUR160RL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MUR160RL参考价格为0.594美元。onsemi MUR160RL包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL。您可以下载MUR160RL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MUR160G是二极管GEN PURP 600V 1A轴向，包括SWITCHMODE？系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装替代包装，提供0.010935盎司等单位重量功能，安装类型设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41轴向包装盒，该设备也可作为通孔安装类型。此外，供应商设备包为轴向，设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.25V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为1A，反向恢复时间trr为75ns，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为35 A，恢复时间为75ns。
MUR160GP-TP是DIODE GEN PURP 600V 1A DO41，包括1.35V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-41中使用的供应商设备包，该DO-41提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于MUR160，以及60ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结范围为-65°C~150°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
MUR160ERLG带有ON制造的电路图。MUR160ER LG采用DO-41封装，是IC芯片的一部分。
