9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MUR420RL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MUR420RL参考价格为0.24000美元。onsemi MUR420RL包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD。您可以下载MUR420RL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MUR420-M3/54，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，设计用于DO-201AD、轴向包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-201AD等供应商设备包装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为890mV@4A，该器件提供200V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有4A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为35ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
带有用户指南的MUR420-M3/73，包括890mV@4A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则DO-201AD中使用的数据表说明中显示了供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为35ns、，除了磁带盒（TB）替代封装外，该器件还可以用作DO-201AD轴向封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为4A。
带有电路图的MUR420GP-TP，包括80pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于4A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@200V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于通孔，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，该装置也可用作DO-201AD轴向包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供60ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-201AD，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.35V@4A。
