9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5620GPHE3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5620GPHE3/73参考价格$0.57。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5620GPHE3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC。您可以下载1N5620GPHE3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N5620GPHE3/54是DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AC、DO-15、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-204A C（DO-15），以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@800V，该器件提供1.2V@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有800V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为20pF@12V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N5620是DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL，包括1.3V@3A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供反向恢复时间trr功能，如2μs，包装设计为批量工作，其工作温度结范围为-65°C~200°C。此外，安装类型为通孔，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为500nA@800V，电流平均整流Io为1A。
1N5620 TR带电路图，包括卷筒包装，设计用于1N5620系列。
