9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IDP09E120，该产品在9icnet现场销售，可通过原始工厂和代理商等渠道购买。IDP09E120参考价格为0.244美元。Infineon Technologies IDP09E120包装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 23A TO220-2。您可以下载IDP09E120英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IDP6E60是DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO220，包括管封装，设计用于to-220-2封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供PG-TO220-2等供应商设备封装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作50μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为2V@6A，该设备提供600V电压DC反向电压Vr Max，该设备的平均整流电流Io为14.7A（DC），反向恢复时间trr为70ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
IDP08E65D1XKSA1带有用户指南，包括1.7V@8A电压正向Vf Max。如果设计为在650V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220-2的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为80ns，该器件也可用作TO-220-2封装盒，其工作温度结范围为-40°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为40μa@650V，电流平均整流Io为8A。
IDP08E65D2XKSA1，带电路图，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在40μa@650V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装型功能，如通孔，其工作温度结范围为-40°C~175°C，以及to-220-2封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为40ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-220-2，电压DC反向Vr Max为650V，电压正向Vf Max If为2.3V@3A。
