9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES3DHE3/9AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES3DHE3/9AT参考价格$3.844。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES3DHE3/9AT封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB。您可以下载ES3DHE3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES3DHE3/57T是DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.010582盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-214AB、SMC以及表面安装型，该设备也可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，正向电压Vf Max If为900mV@3A，直流反向电压Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为45pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为900 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为50 ns。
ES3D-E3-57T，带有VISHAY制造的用户指南。ES3D-E3-57T采用SMCDO-214AB封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
ES3DF带有SK制造的电路图。ES3DF采用SMAF封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
