9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V12P10HM3/86A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。V12P10HM3/86A参考价格为0.482美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V12P10HM3/86A封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A。您可以下载V12P10HM3/86A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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V12P10HE3/86A是DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A，包括eSMPR、TMBSR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表说明中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于to-277A（SMPC），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为250μA@100V，该器件提供700mV@12A电压正向Vf Max。如果，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为12A，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
V12P10HE3/87A是DIODE SCHOTKY 100V 12A TO277A，包括700mV@12A电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作TO-277、3功率DFN封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为250μa@100V，电流平均整流Io为12A。
V12P10-E3/87A是二极管肖特基100V 12A TO277A，包括12A电流平均整流Io，设计用于在250μa@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表说明所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-277，3-PowerDFN包装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR包装。此外，该系列是eSMPR、TMBSR，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-277A（SMPC），电压DC反向Vr最大值为100V，电压正向Vf最大值为700mV@12A。
