描述
SPV1001N是一种用于光伏应用的成套系统解决方案,可执行类似于传统肖特基二极管的冷旁路整流,但具有更低的正向压降和反向泄漏电流。该器件由一个功率MOSFET晶体管组成,该晶体管在关断时间期间对电容器充电,并在接通时间期间使用先前存储在电容器中的电荷驱动其栅极。设置ON和OFF时间以减少漏极和源极端子上的平均电压降,从而减少功耗。
特征
■ SPV1001N30,如果=12.5 A,VR=30 V
■ SPV1001N40,如果=12.5 A,VR=40 V
■ 非常低的正向压降
■ 极低反向泄漏电流
■ 150°C工作结温度
应用
■ 光伏面板
(图片:引出线)