9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的1N5400-B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5400-B参考价格$0.362。Diodes Incorporated 1N5400-B封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD。您可以下载1N5400-B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5400是DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD，包括标准回收整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）包装，数据表注释中显示了R0中使用的零件别名，R0提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-201AD轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-201AD，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电压正向Vf Max If为1.2V@3A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，最大工作温度范围为+150°C，最小工作温度范围-65°C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为200 A。
1N5399-T是DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO15，包括1.1V@1.5A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表中显示了DO-15中使用的供应商设备包，该DO-15提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），DO-15，轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@1000V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为20pF@4V，1MHz。
1N5400A，电路图由DIODE制造。1N5400A采用DO-41封装，是IC芯片的一部分。
