9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-HFA08SD60STRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-HFA08SD60STRPBF参考价格为0.42美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-HFA08SD60STRPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK。您可以下载VS-HFA08SD60STRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-HFA08SD60STRLP是DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK，包括HEXFREDR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，该包装提供零件别名功能，如HFA08SD60STRIP，单位重量设计为0.009185盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作TO-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63封装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备采用D-PAK（TO-252AA）供应商设备包提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电压正向Vf Max If为1.7V@8A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为8A（DC），反向恢复时间trr为55ns，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，16 A时Vf正向电压为2.1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为8A，最大浪涌电流为60A，恢复时间为55ns。
带用户指南的VS-HFA08SD60STR-M3，包括1.7V@8A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D-PAK（to-252AA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，其工作温度结范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为8A。
带有电路图的VS-HFA08SD60SR-M3，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-252-3、DPak（2引线+接线片），SC-63封装情况下，该设备也可以用作55ns反向恢复时间trr。此外，该系列为HEXFREDR，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有TO-252（D-Pak）供应商设备包，直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值If为1.7V@8A。
