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APT20SCD120S是DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK，包括肖特基二极管产品，设计用于管式封装，封装盒如数据表注释所示，用于to-268-3、D3PAK（2引线+标签）、to-268AA，提供Si等技术特性，安装类型设计用于表面安装，以及D3PAK供应商设备封装，该设备也可以用作无恢复时间>500mA（Io）速度。此外，二极管类型为碳化硅肖特基，该器件提供400μA@1200V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.8V@20A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为68A（DC），反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为1135pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，Pd功耗为66 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为2.2 V，Ir反向电流为2 mA，如果正向电流为68 A，Vrm重复反向电压为1200 V，Ifsm正向浪涌电流为220A。
APT20SCD120B是DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A，包括1.2 kV Vrm重复反向电压，设计用于1.2 kV Vr反向电压，电压正向Vf Max If如数据表注释所示，用于1.8V@20A，提供电压直流反向Vr Max功能，如1200V（1.2KV），Vf正向电压设计用于1.8 V，以及SiC技术，该设备也可以用作无恢复时间>500mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为0ns，该器件为肖特基碳化硅二极管产品，该器件具有208 W的Pd功耗，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最低工作温度范围为-55C，最高工作温度范围+150 C，Ifsm正向浪涌电流为220 a，如果正向电流为20A，二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为400μA@1200V，电流平均整流Io为68A（DC），电容Vr F为1135pF@0V，1MHz。
APT20M45BVRG是MOSFET N-CH 200V 56A TO-247，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，以7 ns为单位，提供Id连续漏极电流功能，如56 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，封装外壳为TO-247-3，该器件提供300W Pd功耗，该器件具有130nC的Qg栅极电荷，Rds导通漏极-源极电阻为45mOhm，上升时间为14ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型开启延迟时间为12ns，单位重量为1.340411oz，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为+/-30V，Vgsth栅极-源极端电压为4V。
