9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GP10ME-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GP10ME-E3/73参考价格为0.66美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GP10ME-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL。您可以下载GP10ME-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GP10M-E3/73是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带盒（TB）替代包装，提供部件别名功能，如GP10M-E3/54，单位重量设计为0.011711盎司，以及通孔安装样式，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-204AL（DO-41）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为7pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为1000 V，并且Ir反向电流为5uA，并且如果正向电流为1A，则最大浪涌电流为30A，并且恢复时间为3000ns。
GP10ME-E3/54是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为在1.2 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1000 V（1KV）的直流反向Vr Max，提供1.2 V等Vf正向电压功能，单位重量设计为0.011711盎司，以及DO-204AL（DO-41）供应商设备包，该设备也可用于标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备提供3μs反向恢复时间trr，该设备具有3000 ns的恢复时间，产品为标准恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结合范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为5μA@1000V，平均整流电流Io为1A，并且配置为Single，电容Vr F为7pF@4V，1MHz。
GP10ME-E3/53是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括7pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置，数据表说明中显示了用于1A的电流平均整流Io，提供电流反向泄漏Vr特性，如5μa@1000V，二极管类型设计用于标准，以及1 a如果正向电流，该装置也可作为5 uA Ir反向电流使用，其最大工作温度范围为+175℃，该装置的最大浪涌电流为30 A，其最小工作温度范围是-65℃，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其工作温度结范围为-65℃~175℃，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，包装为磁带盒（TB），产品为标准恢复整流器，恢复时间为3000 ns，反向恢复时间trr为3μs，系列为AEC-Q101，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为DO-204AL（DO-41），单位重量为0.011711 oz，Vf正向电压为1.2 V，电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.1V@1A，Vr反向电压为1000V。
