9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-HFA08SD60SPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-HFA08SD60SPBF参考价格为0.528美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-HFA08SD60SPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK。您可以下载VS-HFA08SD60SPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-HFA08PB60PBF是DIODE GEN PURP 600V 8A TO247AC，包括HEXFREDR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于提供HFA08PB60PFF等零件别名功能的管子，单位重量设计为0.211644盎司，以及通孔安装样式，该设备也可以用作HEXFRED商品名。此外，封装外壳为TO-247-2，该器件为通孔安装型，该器件具有TO-247AC改进型供应商器件封装，配置为单体，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电压正向Vf Max If为1.7V@8A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为55ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，16 A时Vf正向电压为2.1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为8A，最大浪涌电流为60A，恢复时间为90ns。
VS-HFA08SD60S-M3是DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA，包括1.7V@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D-PAK（to-252AA）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，以及55ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，其工作温度结范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为8A。
带有电路图的VS-HFA08SD60SL-M3，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-252-3、DPak（2引线+接线片），SC-63封装情况下，该设备也可以用作55ns反向恢复时间trr。此外，该系列为HEXFREDR，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有TO-252（D-Pak）供应商设备包，直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值If为1.7V@8A。
