9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MURS120HE3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURS120HE3/52T参考价格为0.384美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MURS120HE3/52T封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA。您可以下载MURS120HE3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如MURS120HE3/52T价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
MURS120-E3/5BT是DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装。数据表注释中显示了用于MURS120-E3/52T的零件别名，该MURS120/E3/52T提供单位重量功能，如0.006349盎司，安装样式设计用于SMD/SMT以及DO-214AA，SMB封装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备以单配置提供，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2μa@200V，电压正向Vf Max If为875mV@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为35ns，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为875 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为2 uA，如果正向电流为2 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为35ns。
MURS120-13-F是DIODE GEN PURP 200V 1A SMB，包括875mV@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SMB的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在25ns内工作等速度功能，以及Digi-ReelR封装，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为27pF@4V，1MHz。
MURS120-E3/52T是DIODE GP 200V 1A DO214AA，包括单一配置，它们设计为在2 a下工作。如果数据表注释中显示了用于2 uA的正向电流、Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+175 C，最大浪涌电流设计为在40 a下工作，它的最小工作温度范围是-65 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，包装箱为SMB，设备采用卷筒包装，设备具有零件别名MURS120-E3/5BT，产品为超快恢复整流器，恢复时间为35ns，单位重量为0.006349oz，Vf正向电压为875mV，Vr反向电压为200V。
