9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5619GP-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5619GP-E3/73参考价格$0.308。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5619GP-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD。您可以下载1N5619GP-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N5619是DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于轴向，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于a、轴向以及通孔安装型，该设备也可以用作单一配置。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有500nA@600V电流反向泄漏Vr，正向电压Vf Max If为1.6V@3A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为1A，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为25pF@12V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为25 uA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为25 A，恢复时间为250 ns。
1N5618GPHE3/54是二极管GEN PURP 600V 1A DO204AC，包括1.2V@1A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-204AC（DO-15）的供应商设备包，该DO-204AAC提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了2μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，包装箱为DO-204AC，DO-15，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为25pF@12V，1MHz。
1N5618GP-E3/54是二极管GEN PURP 600V 1A DO204AC，包括25pF@12V、1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可用于DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳。此外，包装为切割胶带（CT），该设备以2μs反向恢复时间trr提供，该设备具有串联的SUPERECTIERR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-204AC（DO-15），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.2V@1A。
1N5618US，带EDA/CAD型号，包括表面安装安装型，设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供封装外壳功能，如SQ-MELF，a，安装型设计用于SMD/SMT，以及D-5A供应商设备封装，该器件也可以用作散装封装，其工作温度结范围为-65°C~200°C，该器件提供600V电压DC反向Vr Max，该器件具有500nA@600V电流反向泄漏Vr，反向恢复时间trr为2μs，电流平均整流Io为1A，电压正向Vf Max If为1.3V@3A。
