9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ESH2DHE3/5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ESH2DHE3/5BT参考价格为0.448美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ESH2DHE3/5BT封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA。您可以下载ESH2DHE3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ESH2D-E3/52T是DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006349盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计用于DO-214AA、SMB、，该设备也可以用作DO-214AA（SMB）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@200V，电压正向Vf Max If为930mV@2A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为35ns，其工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为930 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为2 uA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为60 A，恢复时间为55 ns。
ESH2D-E3/5BT是DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA，包括200V Vr反向电压，设计用于在930mV@2A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于200V的直流反向Vr Max，该200V提供Vf正向电压功能，如930mV，单位重量设计用于0.006349盎司，以及DO-214AA（SMB）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备以55ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为60 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为2 uA，If正向电流为2 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2μA@200V，电流平均整流Io为2A，配置为单一。
ESH2DHE3/52T是DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作2μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及DO-214AA，SMB包装箱，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有DO-214AA（SMB）供应商设备包，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为930mV@2A。
