9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MR856RL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MR856RL参考价格为0.346美元。onsemi MR856RL包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD。您可以下载MR856RL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MR854RLG是DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD，包括MR854系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-201AA、DO-27、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-201AD，该设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电压正向Vf Max If为1.25V@3A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为300ns，工作温度结范围为-65°C~125°C，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为300ns。
MR856G是DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括600 V Vr反向电压，它们设计为在1.25 V@3A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max，提供1.25 V等正向电压特性，单位重量设计为0.038801盎司，以及DO-201AD供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为MR856，该设备提供300ns反向恢复时间trr，该设备具有300ns的恢复时间，产品为快速恢复整流器，包装为散装交替包装，包装箱为DO-201AA、DO-27，轴向，其工作温度结区范围为-65°C~125°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最低工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为100 A，最大工作温度范围+125 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为10μA@600V，平均整流电流Io为3A，配置为单一。
MR856是二极管GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~125°C，以及DO-201AA、DO-27、，轴向包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为300ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-201AD，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.25V@3A。
