9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-HFA25TB60SPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-HFA25TB60SPBF参考价格为0.518美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-HFA25TB60SPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 25A D2PAK。您可以下载VS-HFA25TB60SPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-HFA25TB60PBF是DIODE GEN PURP 600V 25A TO220AC，包括HEXFREDR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于提供HFA25TB60PFF等零件别名功能的管子，单位重量设计为0.211644盎司，以及通孔安装样式，该设备也可以用作HEXFRED商品名。此外，封装外壳为TO-220-2，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-220AC，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为20μa@600V，电压正向Vf Max If为1.7V@25A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为25A，反向恢复时间trr为75ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压在50 A时为2 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为20 uA，如果正向电流为25A，最大浪涌电流为225A，恢复时间为75ns。
VS-HFA25TB60SHM3，带用户指南，包括1.7V@25A正向电压Vf Max，如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，数据表说明中显示了用于to-263AB（D2PAK）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于AEC-Q101汽车，以及50ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作替代包装包装。此外，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为20μa@600V，电流平均整流Io为25A。
VS-HFA25TB60-N3是DIODE GEN PURP 600V 25A TO220AC，包括25A电流平均整流Io，设计用于在600V电流反向泄漏Vr下工作20μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及TO-220-2包装盒，该设备也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为75ns，该设备以HEXFREDR系列提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为TO-220AC，商品名为HEXFRED，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.7V@25A。
