9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1GHE3/5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1GHE3/5AT参考价格$3.886。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1GHE3/5AT封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC。您可以下载S1GHE3/5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S1G-E3/61T是DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC，包括S1x系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供部件别名功能，如S1G-E3/5AT，单位重量设计为0.003739盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@400V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为12pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为400V，并且Ir反向电流为1uA，并且如果正向电流为1A，则最大浪涌电流为40A，并且恢复时间为1800ns。
带有用户指南的S1GHE，包括1.1V@1A电压正向Vf Max，如果设计用于400V电压直流反向Vr Max，则供应商设备包显示在SOD-323HE中使用的数据表注释中，该SOD-323H提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及782ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为2-SMD，扁平引线，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@400V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为3pF@4V，1MHz。
带有电路图的S1GFL，包括4pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@400V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-50°C~150°C，该装置也可用作SOD-123F包装箱。此外，包装为Digi-ReelR替代包装，该设备提供2μs反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为SOD-123F，直流反向电压Vr最大值为400V，正向电压Vf最大值为1.1V@1A。
