9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BA159GPE-E3/53，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BA159GPE-E3/53参考价格为0.546美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BA159GPE-E3/53封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL。您可以下载BA159GPE-E3/53英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BA159GP-E3/54是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于BA159GP-E3/73，提供0.011640盎司等单位重量功能，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-204AL（DO-41），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为500ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为1000V，Ir反向电流为5uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为20A，恢复时间为500ns。
BA159GP-E3/73是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为在1A电压正向Vf Max下工作1.3V。如果数据表注释中显示了用于1000V（1KV）的直流反向Vr Max，提供了1.3 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.011640盎司，以及DO-204AL（DO-41）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复=20mA（Io）速度。此外，该系列是SUPERCTIFIERR，该设备提供500ns反向恢复时间trr，该设备具有500ns的恢复时间，零件别名为BA159GP-E3/54，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结合范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为20 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为5μA@1000V，平均整流电流Io为1A，并且配置为Single，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
BA159GP-E3，带有VISHAY制造的电路图。BA159GP-E3采用DIP封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
