9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的GKN26/04，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GKN26/04参考价格为0.394美元。GeneSiC半导体GKN26/04包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 25A DO4。您可以下载GKN26/04英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GKN240/14是DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205，包括GKN240系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-205AB、DO-9、螺柱的包装箱，提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装、供应商设备包设计用于DO-205A B、DO-9>500ns、>200mA（Io）速度、，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr在1400V时为60mA，该设备提供1.4V@60A电压正向Vf Max。如果，该设备具有1400V（1.4kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为320A，其工作温度结范围为-40°C ~ 180°C。
GKN240/16是DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205，包括1.4V@60A正向电压Vf Max。如果设计为在1600V（1.6KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-205AB、DO-9的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns、>200mA（Io），该系列设计用于GKN240，除了散装包装外，该设备还可以用作DO-205AB、DO-9、螺柱包装箱，其工作温度结范围为-40°C～180°C，该设备提供底盘螺柱安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为60mA@1600V，电流平均整流Io为320A。
GKN240/18带有电路图，包括165A电流平均整流Io，它们设计为在22mA@1800V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结区范围为-55°C~150°C，以及DO-205AB、DO-9螺柱封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在DO-205AB，DO-9供应商设备包中提供，该设备具有1800V（1.8kV）直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.5V@60A。
