9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的GKR26/08,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。GKR26/08参考价格为0.336美元。GeneSiC半导体GKR26/08封装/规格:DIODE GEN PURP 800V 25A DO4。您可以下载GKR26/08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GKR240/18带有引脚细节,包括散装包装,它们设计用于DO-205AB、DO-9、螺柱封装外壳,安装类型如数据表注释所示,用于底盘、螺柱安装,提供供应商设备封装功能,如DO-205AA、DO-9,速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA(Io),以及标准反极性二极管类型,该器件也可以用作22mA@1800V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为1.5V@60A,该设备提供1800V(1.8kV)直流反向电压Vr Max,该设备具有165A的电流平均整流Io,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
GKR240/16是DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205,包括1.4V@60A正向电压Vf Max。如果设计为在1600V(1.6KV)直流反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-205AB、DO-9的供应商设备包,该设备提供速度特性,如标准恢复>500ns、>200mA(Io),该系列设计用于GKR240,除了散装包装外,该设备还可以用作DO-205AB、DO-9、螺柱包装箱,其工作温度结范围为-40°C~180°C,该设备提供底盘螺柱安装型,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为60mA@1600V,电流平均整流Io为320A。
GKR26/04是DIODE GEN PURP 400V 25A DO4,包括25A电流平均整流Io,它们设计为在400V电流反向泄漏Vr时工作4mA,二极管类型如数据表注释所示,用于标准,提供安装类型功能,如底盘、螺柱安装,其工作温度结范围为-40°C~180°C,以及DO-203AA、DO-4,螺柱包装箱,该设备也可以用作散装包装。此外,该系列是GKR26,该设备提供的标准恢复时间>500ns,>200mA(Io)速度,该设备具有DO-4供应商设备包,电压DC反向Vr Max为400V,电压正向Vf Max If为1.55V@60A。