9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的US1BHE3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。美国1BHE3/61T参考价格为0.372美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division US1BHE3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC。您可以下载US1BHE3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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US1BFA，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品。数据表注释中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供SMD/SMT等安装方式功能，其工作温度范围为-55 C至+150 C，以及SOD-123W包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOD-123FA，该设备以单配置提供，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为950mV@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为950 mV，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
US1BHE3/5AT是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC，包括1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为50ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
US1BF，电路图由东芝/VISHAY制造。US1BF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
