9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-80EPS12PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-80EPS12PBF参考价格为0.576美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-80EPS12PBF封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC。您可以下载VS-80EPS12PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-80EPF12PBF是DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC，包括管封装，它们设计用于to-247-3封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如to-247AC，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作100μA@1200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.35V@80A，该器件提供1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，该器件具有80A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为480ns，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
VS-80EPF10PBF是DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247AC，包括1.35V@80A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-247AC的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为480ns，除了管封装外，该器件也可以用作TO-247-3封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1000V，电流平均整流Io为80A。
VS-80EPS08PBF是DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC，包括80A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@800V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C，以及TO-247-3包装盒，该设备也可以用作管包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在TO-247AC供应商设备包中提供，该设备具有800V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.17V@80A。
