9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的GKR26/14，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GKR26/14参考价格为0.26336美元。GeneSiC半导体GKR26/14封装/规格：DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4。您可以下载GKR26/14英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GKR26/12是DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4，包括GKR26系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-203AA、DO-4、螺柱，提供底盘、螺柱安装等安装类型功能。供应商设备包设计用于DO-4，以及标准恢复>500ns、>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr在1200V时为4mA，设备提供1.55V@60A电压正向Vf Max。如果，设备具有1200V（1.2kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为25A，其工作温度结范围为-40°C ~ 180°C。
GKR26/04是DIODE GEN PURP 400V 25A DO4，包括1.55V@60A正向电压Vf Max。如果设计为在400V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-4的供应商设备包，该DO-4提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），系列设计用于GKR26，以及散装包装，该设备也可以用作DO-203AA、DO-4、螺柱封装外壳，其工作温度结范围为-40°C~180°C，该设备为底盘螺柱安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为4mA@400V，电流平均整流Io为25A。
GKR26/08是DIODE GEN PURP 800V 25A DO4，包括25A电流平均整流Io，它们设计为在4mA@800V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-40°C ~ 180°C，以及DO-203AA、DO-4，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，该系列是GKR26，该设备提供的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有DO-4供应商设备包，电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.55V@60A。
