9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的DB2J20100L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DB2J20100L参考价格为29.158美元。松下电子元件DB2J20100L包装/规格：DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SMINI2。您可以下载DB2J20100L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DB2G40800L1带有引脚细节，包括DB2G系列，它们设计用于肖特基碳化硅二极管产品，数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代封装的封装，该封装提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于0402（1006公制），以及SiC技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为0402（1005公制），设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1200μa@40V，电压正向Vf Max If为460mV@1A，电压直流反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为8.8ns，电容Vr F为28pF@10V，1MHz，工作温度结范围为150°C（最大），最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为370 mV，Vr反向电压为40 V，Ir反向电流为400 uA，并且If正向电流为1A，Vrm重复反向电压为40V，Ifsm正向浪涌电流为15A，trr反向恢复时间为8.8ns。
DB2G42900L1带有用户指南，包括40 V Vrm重复反向电压，它们设计用于40 V Vr反向电压，正向电压Vf Max If如数据表注释所示，用于520mV@1A，提供电压DC反向电压Vr Max功能，如40V，正向电压设计用于430 mV，以及8.8 ns trr反向恢复时间，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包装为0402（1005公制），设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，设备具有DB2G系列，反向恢复时间trr为8.8ns，产品为肖特基碳化硅二极管，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为0402，它的工作温度结范围为150°C（最大值），安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为50 uA，Ifsm正向浪涌电流为15 A，如果正向电流为1 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为150μA@40V，电流平均整流Io为1A，配置为单，电容Vr F为28pF@10V，1MHz。
DB2G42600L1，带电路图，包括28pF@10V，1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置，电流平均整流Io如数据表注释所示，用于1A，提供电流反向泄漏Vr特性，如30μa@40V，二极管类型设计用于肖特基，以及1 a If正向电流，该器件也可以用作10A Ifsm正向浪涌电流。此外，Ir反向电流为2 uA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，工作温度结范围为150°C（最大值），包装箱为0402（1006公制），包装为Digi-ReelR替代包装，产品为肖特基碳化硅二极管，反向恢复时间trr为8.7ns，系列为DB2G，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商器件封装为0402（1005公制），技术为SiC，反向恢复电压trr为8.7 ns，Vf正向电压为510 mV，电压DC反向Vr Max为40V，电压正向Vf Max If为600mV@1A，Vr反向电压为40V，Vrm重复反向电压为40 V。
