9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MURH10005，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURH10005参考价格为0.338美元。GeneSiC半导体MURH10005封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 100A D-67。您可以下载MURH10005英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MURF860G是二极管GEN PURP 600V 8A至220FP，包括SWITCHMODE？系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.081130盎司，安装类型设计用于通孔，以及to-220-2全包装包装箱，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-220FP，设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，正向电压Vf Max If为1.5V@8A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为8A，反向恢复时间trr为60ns，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.5 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为8 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为60ns。
MURF860是DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC，包括2.2V@8A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于ITO-220AC的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在50ns内运行，该器件也可作为TO-220-2绝缘、TO-220AC封装外壳使用，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为8A。
MURF860CT带有ON制造的电路图。MURF860CTTO-220F封装，是IC芯片的一部分。
