9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGP10D-E3/53，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGP10D-E3/53参考价格为0.254美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGP10D-E3/53封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL。您可以下载EGP10D-E3/53英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EGP10D是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括超快恢复整流器产品，它们设计为使用切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.008642盎司，提供安装类型特征，如通孔，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向、，以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-41供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为950mV@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-65°C~150°C，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为0.95 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为50ns。
EGP10C-M3/73带有用户指南，包括950mV@1A电压正向Vf Max。如果设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-204AL（DO-41），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带盒（TB）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结范围为-65°C~150°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为22pF@4V，1MHz。
EGP10D-E3，带有VISHAY制造的电路图。EGP10D-E3采用DO-204AL封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
