总电容电荷很小,减少了开关损耗,从而实现了碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管的高速开关操作。
特色
- 更短的恢复时间
- 降低温度依赖性
- 高速切换可能
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总电容电荷很小,减少了开关损耗,从而实现了碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管的高速开关操作。
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