9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的US1MHE3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US1MHE3/61T参考价格为0.54美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division US1MHE3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC。您可以下载US1MHE3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如US1MHE3/61T价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
US1MFA是DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FA，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品。数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供SMD/SMT等安装样式功能，其工作温度范围为-55 C至+150 C，以及SOD-123W封装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOD-123FA，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.7V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.7 V，Vr反向电压为1 kV，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为75ns。
US1MHE3/5AT是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC，包括1.7V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为75ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
US1MHE3，带有VISHAY制造的电路图。US1MHE3采用DO-214AC封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
