9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VSB3200-M3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VSB3200-M3/54参考价格为0.462美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VSB3200-M3/54封装/规格：DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO201AD。您可以下载VSB3200-M3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VSB2200S-M3/73，带有引脚细节，包括TMBSR系列，它们设计用于磁带盒（TB）封装，数据表注释中显示了用于DO-204AL、DO-41、轴向的封装盒，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于DO-204A L（DO-41），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为40μA@200V，该器件提供1.23V@2A电压正向Vf Max If，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为110pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
VSB3200-E3/54是DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO201AD，包括200V电压DC反向Vr Max，它们设计用于DO-201AD供应商设备包，速度显示在数据表注释中，用于快速恢复=20mA（Io），提供包装功能，如磁带和卷轴（TR）交替包装，它的工作温度结范围为-40°C~150°C，该设备也可以用作通孔安装型。此外，二极管类型为肖特基，该器件提供3A电流平均整流Io，该器件具有175pF@4V，1MHz的电容Vr F。
VSB3200-E3/73是二极管肖特基200V 3A DO201AD，包括175pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于3A电流平均整流Io，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供安装类型功能，如通孔，工作温度结范围为-40°C~150°C，以及DO-201AD，轴向封装外壳，该设备也可以用作磁带盒（TB）替代包装包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在DO-201AD供应商设备包中提供，该设备具有200V电压DC反向Vr最大值。
