9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGP50G-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGP50G-E3/54参考价格为0.512美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGP50G-E3/54包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 5A GP20。您可以下载EGP50G-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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EGP50F-E3/73是DIODE GEN PURP 300V 5A GP20，包括SUPERECTIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带盒（TB）替代包装，提供单位重量功能，如0.035627盎司，安装样式设计用于通孔，以及SUPERECTFIER商标，该装置也可以用作DO-201AA、DO-27、轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在GP20供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@300V，电压正向Vf Max If为1.25V@5A，电压直流反向Vr Max为300V，电流平均整流Io为5A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为75pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为300 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为5A，最大浪涌电流为150A，恢复时间为50ns。
EGP50G是DIODE GEN PURP 400V 5A GP20，包括400 V Vr反向电压，它们设计为在1.25 V@5A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的直流反向Vr Max，提供1.25 V等正向电压特性，单位重量设计为0.035627盎司，该设备也可以用作GP20供应商设备包。此外，速度为快速恢复=200mA（Io），该设备为SUPERECTIFIERR系列，该设备具有50ns的反向恢复时间trr，恢复时间为50ns，产品为超快恢复整流器，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-201AA、DO-27，轴向，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最低工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为150 A，最高工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为5 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@400V，电流平均整流Io为5A，配置为单一，电容Vr F为75pF@4V，1MHz。
EGP50FHE3/54是DIODE GEN PURP 300V 5A GP20，包括75pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@300V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该设备也可以用作DO-201AA、DO-27、轴向包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以50ns反向恢复时间trr提供，该设备具有系列的SUPERECTIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为GP20，电压DC反向Vr最大值为300V，电压正向Vf最大值为1.25V@5A。
EGP50FHE3/73是DIODE GEN PURP 300V 5A GP20，包括通孔安装型，它们设计为与磁带盒（TB）封装一起工作，系列如数据表注释所示，用于SUPERECTIFIERR，提供二极管型功能，如标准，供应商设备包设计为在GP20中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该装置也可以用作DO-201AA、DO-27、轴向包装箱。此外，电容Vr F为75pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，器件具有5μa@300V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为5A，反向恢复时间trr为50ns，电压DC反向Vr Max为300V，电压正向Vf Max If为1.25V@5A。
