9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5618GP-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5618GP-E3/54参考价格$2.122。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5618GP-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC。您可以下载1N5618GP-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N5618是DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL，包括标准回收整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于轴向，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于a、轴向以及通孔安装型，该设备也可以用作单一配置。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管型，该器件具有500nA@600V电流反向泄漏Vr，正向电压Vf Max If为1.3V@3A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，它的工作温度结范围为-65°C~200°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为2 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为2 us。
1N5617GPHE3/54是DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC，包括1.2V@1A正向电压Vf Max。如果设计用于400V电压DC反向电压Vr Max，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-204AC（DO-15），提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，以及150ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，包装箱为DO-204AC，DO-15，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@400V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为25pF@4V，1MHz。
1N5617US是DIODE GEN PURP 400V 1A D5A，包括35pF@12V，1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装类型，其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为SQ-MELF，A，设备采用散装包装，设备具有150ns的反向恢复时间trr，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为D-5A，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.6V@3A。
