9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGP10G-E3/53,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。EGP10G-E3/53参考价格$0.304。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGP10G-E3/53包装/规格:DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL。您可以下载EGP10G-E3/53英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EGP10G是DIODE GEN PURP 400V 1A DO41,包括超快速恢复整流器产品,它们设计用于切割胶带(CT)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.008642盎司,提供安装类型特征,如通孔,包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向、,以及通孔安装类型,该设备也可以用作DO-41供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@400V,电压正向Vf Max If为1.25V@1A,电压直流反向Vr Max为400V,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为50ns,其工作温度结范围为-65°C~150°C,Pd功耗为2.5 W,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围是-65 C,Vf正向电压为1.25 V,Vr反向电压为400 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为1 A,最大浪涌电流为30 A,恢复时间为50ns。
EGP10F-TP带用户指南,包括1.25V@1A电压正向Vf Max,如果设计为在300V电压直流反向Vr Max下运行,则DO-41中使用的数据表说明中显示了供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)、反向恢复时间trr设计为50ns,以及切割胶带(CT)封装等速度功能,该器件也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为通孔安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@300V,电流平均整流Io为1A。
EGP10GE带有GS制造的电路图。EGP10GE采用DO-41封装,是二极管、整流器-单体的一部分。