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BAS116LT3G是DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如SOT-23-3（to-236），速度设计用于小信号=，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作5nA@75V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@150mA，该器件提供75V电压DC反向Vr Max，该器件具有200mA（DC）的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BAS116LT1G是DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3，包括1.25V@150mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOT-23-3（to-236）中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为3μs，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5nA@75V，电流平均整流Io为200mA（DC），而电容Vr F在0V、1MHz时为2pF。
BAS116QAZ带电路图，包括2pF@0V、1MHz电容Vr F，它们设计用于300mA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5nA@75V，提供标准等二极管类型功能，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，以及3μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作汽车、AEC-Q101系列。此外，速度是快速恢复=200mA（Io），该设备提供75V电压DC反向Vr Max，该设备具有1.25V@150mA电压正向Vf Max If。
