9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS12P3LHM3/87A,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SS12P3LHM3/87A参考价格为0.64美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS12P3LHM3/87A封装/规格:DIODE SCHOTTKY 30V 12A TO277A。您可以下载SS12P3LHM3/87A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS12P2L-M3/87A是DIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277A,包括eSMPR系列,它们设计用于肖特基整流器产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供单位重量功能,如0.003527盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及to-277,3-PowerDFN封装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,安装类型为表面安装,该设备采用TO-277A(SMPC)供应商设备包提供,该设备具有单双阳极配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为1mA@20V,电压正向Vf Max If为560mV@12A,电压直流反向Vr Max为20V,电流平均整流Io为12A,电容Vr F为930pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C~150°C,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,Vf正向电压为0.56 V,Ir反向电流为1000 uA,如果正向电流为12 A,Vrm重复反向电压为20V,Ifsm正向浪涌电流为280A。
SS12P3LHM3/86A是DIODE SCHOTKY 30V 12A TO277A,包括560mV@12A电压正向Vf Max。如果它们设计为在30V电压直流反向Vr Max下工作,则数据表说明中显示了用于to-277A(SMPC)的供应商设备包,该设备包提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,该系列设计用于eSMPR以及磁带和卷轴(TR)封装,该器件也可用作TO-277,3功率DFN封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型肖特基,电流反向泄漏Vr为1mA@30V,电流平均整流Io为12A,电容Vr F为930pF@4V,1MHz。
SS12P3L-E3/86A是由VISHAY制造的二极管肖特基30V 12A 3引脚(2+Tab)SMPC T/R。SS12P3L-E3/86A采用TO-277A封装,是IC芯片的一部分,支持二极管肖特基30V 12A 3引脚(2+Tab)SMPC T/R。