9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的MUR1100-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MUR1100-TP参考价格$6.068。Micro Commercial Co MUR1100-TP包装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41。您可以下载MUR1100-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MUR1100ERLG是二极管GEN PURP 1KV 1A轴向，包括SWITCHMODE？系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供0.010935盎司等单位重量功能，安装类型设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41轴向包装箱，该设备也可作为通孔安装类型。此外，供应商的设备包是轴向的，该设备以单配置提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.75V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为100ns，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.75 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为35A，恢复时间为100ns。
MUR1100ERL是DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL，包括1.75V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）直流反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于轴向的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，系列设计为在SWITCHMODE？下工作？，以及100ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电流平均整流Io为1A。
MUR1100RLG，带有ON制造的电路图。MUR1100RL G采用DO-41封装，是IC芯片的一部分。
