9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RF073M2STR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RF073M2STR参考价格为0.454美元。Rohm Semiconductor RF073M2STR封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU。您可以下载RF073M2STR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RF071M2STR是DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU，包括RF071M2S系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.001058盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOD-123F包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为PMDU，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电压正向Vf Max If为850mV@700mA，电压反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为700mA，反向恢复时间trr为25ns，工作温度结范围为150°C（最大值），最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为850 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为700 mA，最大浪涌电流为15 A，恢复时间为20ns。
带有用户指南的RF071MM2STR，包括850mV@700mA电压正向Vf Max，如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于PMDU的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，系列设计为在RF071MM2S中运行，以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为SOD-123F，其工作温度结范围为150°C（最大值），器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电流平均整流Io为700mA。
RF073M2S，电路图由ROHM制造。RF073M2S采用SOD123封装，是IC芯片的一部分。
