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APT20SCD120B是二极管肖特基1.2KV 68A，包括肖特基碳化硅二极管产品，设计用于使用SiC技术，速度如数据表注释所示，适用于无恢复时间＞500mA（Io）的情况，提供二极管类型的特性，如碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr设计用于1200V时的400μa，以及1.8V@20A电压正向Vf Max If，该器件也可以用作1200V（1.2kV）电压直流反向Vr Max。此外，电流平均整流Io为68A（DC），该器件以0ns反向恢复时间trr提供，该器件具有1135pF@0V，1MHz电容Vr F，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，Pd功耗为208 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.8 V，Vr反向电压为1.2 kV，如果正向电流为20 A，Vrm重复反向电压为1.2kV，Ifsm正向浪涌电流为220 A。
APT20M45BVRG是MOSFET N-CH 200V 56A TO-247，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于200 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在14 ns上升时间内提供，器件具有45 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为130 nC，Pd功耗为300 W，封装外壳为TO-247-3，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为56A，并且下降时间为7ns，并且配置为单，并且信道模式为增强。
APT20M45BVR，带有APT制造的电路图。APT20M5BVR可在模块包中获得，是模块的一部分。
