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CD214B-R2600是DIODE GEN PURP 600V 2A SMB，包括CD214-B系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.003284盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA，SMB封装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMB（DO-214AA），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为2A，电容Vr F为25pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 170°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为2 A，最大浪涌电流为65 A。
CD214B-R2800是DIODE GEN PURP 800V 2A SMB，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1V@1A电压正向Vf Max条件下工作。如果数据表注释中显示了800V中使用的电压直流反向Vr Max，其提供了1 a时的1 V正向电压特性，单位重量设计为0.003284盎司，以及SMB（DO-214AA）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为CD214-B，该装置在标准回收整流器产品中提供，该装置具有包装胶带和卷轴（TR），包装箱为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最低工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为65 A，其最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为30 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@800V，电流平均整流Io为2A，配置为单一，电容Vr F为25pF@4V，1MHz。
CD214B-R3100是DIODE GEN PURP 100V 3A SMB，包括40pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置操作，数据表注释中显示了3A中使用的电流平均整流Io，提供电流反向泄漏Vr特性，例如5μa@100V，二极管类型设计用于标准，该器件也可以用作5 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+175℃，该器件提供115 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-65℃，安装类型为表面安装，安装方式为SMD/SMT，其工作温度结范围为-65℃~175℃，封装外壳为DO-214AA，SMB，包装为磁带和卷轴（TR），产品为标准恢复整流器，系列为CD214-B，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为SMB（DO-214AA），单位重量为0.003284盎司，Vf正向电压为1 V，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1V@1A，Vr反向电压为100 V。
