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1N5807是DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于轴向，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于B、轴向以及通孔安装型，该设备也可以用作单一配置。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@50V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为875mV@4A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为60pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为875 mV，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为150 uA，If正向电流为6 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为30 ns。
1N5807US是DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF，包括50 V Vr反向电压，它们设计为以875mV@4A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于50V的电压DC反向Vr Max，其提供了875 mV的正向电压特性，供应商设备包设计用于B、SQ-MELF以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作30ns反向恢复时间trr。此外，恢复时间为30 ns，该设备为超快恢复整流器产品，该设备具有大量包装，包装盒为SQ-MELF，B，其工作温度范围为-65℃至+175℃，其工作结温度范围为-65℃至175℃，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为125 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为150 uA，如果正向电流为6 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@50V，电流平均整流Io为3A，配置为单一，电容Vr F为60pF@10V，1MHz。
1N5807USJTX/TR，带有MICROSEMI制造的电路图。1N5807USJTX/TR采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
