9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VSB20L45-M3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VSB20L45-M3/54参考价格$2.598。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VSB20L45-M3/54封装/规格：DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A P600。您可以下载VSB20L45-M3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VSB2045Y-M3/54，带引脚细节，包括VSB2045Y M3系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.074075盎司，安装样式设计用于通孔，以及TMBS商品名，该设备也可以用作P600，轴向包装箱。此外，该技术为Si，该器件为通孔安装型，该器件具有P600供应商器件封装，配置为单一，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1.2mA@45V，电压正向Vf Max If为440mV@5A，电压反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为6.5A，电容Vr F为2050pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-40 C，Vf正向电压为300 mV，Vr反向电压为45 V，Ir反向电流为1.2 mA，并且如果正向电流是20A，并且Vrm重复反向电压是45V，并且Ifsm正向浪涌电流是250A。
VSB2045Y-M3/73带有用户指南，包括45 V Vrm重复反向电压，它们设计用于45 V Vr反向电压，正向电压Vf Max If如数据表注释所示，用于580mV@20A，提供电压DC反向Vr Max功能，如45V，正向电压设计用于0.5 V，以及0.074075盎司单位重量，该设备也可以用作TMBS商标名。此外，该技术为Si，该设备采用P600供应商设备包，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），系列为TMBSR，产品为肖特基整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为P600，轴向，其工作温度结区范围为-40°C~150°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为1.2 mA，Ifsm正向浪涌电流为250 A，If正向电流为20 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1.2mA@45V，电流平均整流Io为6.5A，配置为单一，电容Vr F为2050pF@4V，1MHz。
带电路图的VSB2045-M3/73，包括2050pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于6.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1.2mA@45V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于通孔，它具有-40°C~150°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作P600轴向包装箱。此外，包装为磁带盒（TB）交替包装，该设备为TMBSR系列，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为P600，电压DC反向Vr Max为45V，电压正向Vf Max If为580mV@20A。
