9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N3613GP-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N3613GP-E3/73参考价格为1.766美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N3613GP-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL。您可以下载1N3613GP-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N3613GP-E3/54是DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.011711盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、，轴向包装箱，该装置也可作为通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-204AL（DO-41），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为2000ns。
1N3613是DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.1 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压特性，速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及2 us恢复时间，该装置也可用作标准回收整流器产品。此外，包装为散装，设备采用A型轴向包装箱，其工作温度范围为-65℃至+175℃，工作温度结范围为-65℃至175℃，安装方式为轴向，安装类型为通孔，最小工作温度范围在-65℃，最大浪涌电流为30 A，它的最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为500 nA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μA@600V，电流平均整流Io为1A，配置为单一。
1N3612GPHE3/73是DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在400V电流反向泄漏Vr下工作1μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-204AL、DO-41、，轴向包装盒，该设备也可以用作磁带盒（TB）包装。此外，反向恢复时间trr为2μs，该设备采用SUPERECTIFIERR系列，该设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包为DO-204AL（DO-41），直流反向电压Vr最大值为400V，正向电压Vf最大值为1V@1A。
